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晶体管
MRFE6VP6300HSR5参考图片

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MRFE6VP6300HSR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 300W50VISM NI780S-4
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数量单价合计
50
¥733.9802
36699.01
100
¥682.6443
68264.43
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
130 V
增益
26.6 dB
输出功率
300 W
最小工作温度
- 30 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S-4
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1.8 MHz to 600 MHz
系列
MRFE6VP6300
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
Pd-功率耗散
1.05 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
零件号别名
935314385178
单位重量
4.570 g
商品其它信息
优势价格,MRFE6VP6300HSR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS
1:¥3.2996
10:¥2.5199
100:¥1.3673
1,000:¥1.02943
2,000:¥0.88366
10,000:¥0.82942
参考库存:39755
晶体管
MOSFET P-CH 20V 2A TUMT3
1:¥6.0681
10:¥5.0285
100:¥3.2431
1,000:¥2.599
3,000:¥2.1922
参考库存:39760
晶体管
射频(RF)双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor
75:¥567.8476
100:¥554.6266
参考库存:39765
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥141.3065
10:¥128.481
25:¥118.7969
50:¥112.3446
参考库存:39770
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 30V, .1A
1:¥2.9945
10:¥1.921
100:¥0.86784
1,000:¥0.54579
3,000:¥0.41471
参考库存:39775
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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