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晶体管
BSC360N15NS3 G参考图片

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BSC360N15NS3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3
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库存:50,711(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.8311
11.8311
10
¥10.0683
100.683
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.0625
3531.25
1,000
¥5.8421
5842.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
33 A
Rds On-漏源导通电阻
36 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
74 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
9 ns
零件号别名
BSC360N15NS3GATMA1 BSC36N15NS3GXT SP000778134
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格,BSC360N15NS3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET Power
1:¥9.831
10:¥8.3733
100:¥6.4749
500:¥5.7178
1,000:¥4.5087
参考库存:6074
晶体管
MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms
1:¥29.4252
10:¥25.0521
100:¥21.6734
250:¥20.5886
参考库存:6116
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN SW 200MA 15V
1:¥1.5368
10:¥1.3673
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:81058
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
1:¥1.1526
10:¥0.99101
100:¥0.35369
1,000:¥0.23843
3,000:¥0.17628
参考库存:44100
晶体管
MOSFET 600V N-Channel MOSFET
1:¥11.6842
10:¥9.9101
100:¥7.91
500:¥6.9495
参考库存:3247
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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