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晶体管
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BD13916STU

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库存:95,863(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.7629
3.7629
10
¥3.0849
30.849
100
¥1.8871
188.71
1,000
¥1.4577
1457.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-126-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.5 V
最大直流电集电极电流
1.5 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BD139
直流电流增益 hFE 最大值
250
高度
1.5 mm
长度
8 mm
封装
Tube
宽度
3.25 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
1.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
Pd-功率耗散
12.5 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1920
子类别
Transistors
零件号别名
BD13916STU_NL
单位重量
761 mg
商品其它信息
优势价格,BD13916STU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET LOW POWER_NEW
1:¥15.142
10:¥12.9046
100:¥10.2943
500:¥8.9948
1,000:¥7.4919
参考库存:4230
晶体管
MOSFET P-CH FET -30V 3.7 mOhm 45W
1:¥11.0627
10:¥8.8366
100:¥6.78
500:¥5.989
3,000:¥4.1923
9,000:查看
参考库存:39017
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W 45V
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
2,500:¥1.00683
参考库存:13364
晶体管
IGBT 模块 1200V 75A 3-PHASE
1:¥1,421.9242
5:¥1,387.7304
10:¥1,353.2315
25:¥1,334.2475
参考库存:3521
晶体管
IGBT 晶体管 LoLoss IGBT TrnchStp Fieldstop tech
1:¥42.3411
10:¥35.9566
100:¥31.1993
250:¥29.5834
500:¥26.5889
参考库存:4258
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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