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晶体管
FDMS5360L-F085参考图片

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FDMS5360L-F085

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数量单价合计
1
¥11.2209
11.2209
10
¥9.5259
95.259
100
¥7.3563
735.63
500
¥6.5088
3254.4
3,000
¥4.5539
13661.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Power-56-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
8.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.9 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
64 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
商标名
PowerTrench
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
6 mm
系列
FDMS5360L_F085
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
79 ns
典型接通延迟时间
22 ns
零件号别名
FDMS5360L_F085
单位重量
172.800 mg
商品其它信息
优势价格,FDMS5360L-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 3A 60V 30W PNP
1:¥4.6895
10:¥3.842
100:¥2.486
1,000:¥1.9775
参考库存:7647
晶体管
MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -3.4A -20V 630pF
1:¥3.1527
10:¥2.0792
100:¥1.1639
1,000:¥0.84524
4,000:¥0.7684
参考库存:32094
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor
1:¥1.6159
10:¥1.07576
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
2,000:¥0.23843
参考库存:84856
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
1:¥8.9948
10:¥7.345
100:¥6.1133
500:¥4.7234
1,000:¥4.2601
参考库存:6213
晶体管
MOSFET N-CH 600V HEXFET MOSFET
1:¥21.0519
10:¥17.515
100:¥13.5261
500:¥11.9102
1,000:¥9.831
参考库存:34260
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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