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晶体管
SIHG64N65E-GE3参考图片

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SIHG64N65E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
  • 数据手册下载
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库存:4,541(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥102.2763
102.2763
10
¥92.9764
929.764
25
¥85.9817
2149.5425
50
¥81.2922
4064.61
100
¥78.987
7898.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
64 A
Rds On-漏源导通电阻
47 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
239 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
520 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
103 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
122 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
213 ns
典型接通延迟时间
66 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,SIHG64N65E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AD
1:¥74.919
10:¥67.3932
25:¥61.3929
100:¥55.4039
250:¥50.9404
参考库存:7726
晶体管
MOSFET SUPREMOS 76A IN TO3P
1:¥116.4917
10:¥107.1127
25:¥102.6605
100:¥90.4452
参考库存:5763
晶体管
达林顿晶体管 PWR BIP/S.SIGNAL
1:¥10.5316
10:¥8.9948
100:¥6.9495
500:¥6.1359
参考库存:12910
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
1:¥32.883
10:¥27.9675
100:¥24.2046
250:¥22.9729
1,000:¥17.3681
2,000:查看
参考库存:6772
晶体管
MOSFET FET 80V 8.2 MOHM PQFN
1:¥21.2101
10:¥18.0574
100:¥15.6731
250:¥14.8256
3,000:¥10.6785
参考库存:9874
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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