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晶体管
SIHG64N65E-GE3参考图片

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SIHG64N65E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
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数量单价合计
1
¥102.2763
102.2763
10
¥92.9764
929.764
25
¥85.9817
2149.5425
50
¥81.2922
4064.61
100
¥78.987
7898.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
64 A
Rds On-漏源导通电阻
47 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
239 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
520 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
103 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
122 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
213 ns
典型接通延迟时间
66 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,SIHG64N65E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR TRANSISTOR PNP SOT-323
1:¥1.695
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:101793
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.2x1.2mm
1:¥3.3787
10:¥1.6385
100:¥1.12209
500:¥0.92208
10,000:¥0.52997
参考库存:52530
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor PNP 10kohm -100mA -50V
1:¥1.7628
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.24634
参考库存:39682
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Si Transistor Epitaxial
1:¥2.2261
10:¥1.4803
100:¥0.61472
1,000:¥0.42262
2,000:¥0.32996
参考库存:70214
晶体管
JFET JFET N-Channel -30V 1.8W 10mW 50mA
1:¥91.5978
10:¥75.0772
100:¥62.3195
500:¥56.7825
参考库存:2836
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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