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晶体管
STGF4M65DF2参考图片

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STGF4M65DF2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 PTD HIGH VOLTAGE
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库存:5,908(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.6896
6.6896
10
¥5.7065
57.065
100
¥4.3844
438.44
500
¥3.8759
1937.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220FP-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
8 A
Pd-功率耗散
23 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGF4M65DF2
集电极最大连续电流 Ic
8 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,STGF4M65DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V N CH MOSFET
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1471
250:¥4.1471
500:¥3.6612
参考库存:14484
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 45.0 V 100 mA
1:¥1.695
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.26103
参考库存:671876
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 2.7mOhm 150A STripFET VI
1:¥12.3735
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.1642
参考库存:6258
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon Double TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.0905
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
10,000:¥0.5763
20,000:查看
参考库存:46780
晶体管
IGBT 模块
1:¥1,865.7543
5:¥1,820.882
10:¥1,775.6142
25:¥1,750.7203
参考库存:3047
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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