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晶体管
CG2H80015D-GP4参考图片

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CG2H80015D-GP4

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 15 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制:
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
17 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
输出功率
15 W
最大漏极/栅极电压
-
最大工作温度
+ 225 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
工作频率
DC to 8 GHz
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3.8 V
商品其它信息
优势价格,CG2H80015D-GP4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T07H310-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥1,057.0924
参考库存:44520
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 250mW Single (R1/R2)
3,000:¥0.83733
参考库存:44525
晶体管
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10,000:¥0.66896
20,000:¥0.62263
参考库存:44530
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-25GHz 4Watt NF 1.3dB GaN
50:¥182.3368
100:¥161.138
250:¥149.838
500:¥139.3855
参考库存:44535
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
4,800:¥4.3053
9,600:¥4.1471
参考库存:44540
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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