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FF200R12KT4

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数量单价合计
1
¥799.5993
799.5993
5
¥784.9206
3924.603
10
¥749.5742
7495.742
25
¥724.6012
18115.03
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
在25 C的连续集电极电流
320 A
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF200R12KT4HOSA1 SP000370618
单位重量
340 g
商品其它信息
优势价格，FF200R12KT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BD17910STU
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥7.0738
10:¥5.876
100:¥3.7968
1,000:¥3.0397
参考库存:34863
DCP69A-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W -20V
2,500:¥1.00683
参考库存:139560
TIP30CTU
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil
1:¥5.989
10:¥4.9381
100:¥3.1866
1,000:¥2.5538
参考库存:10887
JAN2N2219A
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥104.5815
10:¥95.0556
25:¥87.9027
50:¥83.1454
参考库存:2324
NVMFS5C450NLT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 40V 110A
1:¥6.4523
10:¥5.5596
100:¥4.2601
500:¥3.7742
1,500:¥2.6442
9,000:查看
参考库存:57161

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

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