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IFCM20U65GDXKMA1

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113.339
10
¥104.2764
1042.764
25
¥99.892
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100
¥88.0609
8806.09
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
技术
Si
产品
IGBT Silicon Modules
配置
3-Phase
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
栅极—射极漏泄电流
1 mA
Pd-功率耗散
52.3 W
封装 / 箱体
MDIP-24
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
系列
CIPOS Mini
商标
Infineon Technologies
安装风格
Through Hole
栅极/发射极最大电压
-
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
280
子类别
IGBTs
商标名
CIPOS
零件号别名
IFCM20U65GD SP001423502
商品其它信息
优势价格，IFCM20U65GDXKMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRFE6VP6300HSR5
NXP / Freescale
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 300W50VISM NI780S-4
50:¥733.9802
100:¥682.6443
参考库存:40178
ST9045C
STMicroelectronics
晶体管
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50:¥440.2932
100:¥408.0204
参考库存:40183
A2T18H450W19SR6
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18H450W19S/CFM8F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥1,543.3314
参考库存:40188
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ON Semiconductor
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2,500:¥6.6444
5,000:¥6.3958
10,000:¥6.1472
参考库存:101496
CMST5086 TR
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 275mW
15,000:¥0.46895
30,000:¥0.43844
45,000:¥0.39211
105,000:¥0.37629
参考库存:181498

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

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