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晶体管
MMST4126-7-F参考图片

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MMST4126-7-F

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) -25V 200mW
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数量单价合计
1
¥2.6103
2.6103
10
¥1.7289
17.289
100
¥0.72207
72.207
1,000
¥0.49155
491.55
3,000
¥0.3842
1152.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 25 V
集电极—基极电压 VCBO
- 25 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 4 V
集电极—射极饱和电压
- 0.4 V
最大直流电集电极电流
0.2 A
增益带宽产品fT
250 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MMST41
直流电流增益 hFE 最大值
360
高度
1 mm
长度
2.2 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.35 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
- 0.2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
200 mW (1/5 W)
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
5 mg
商品其它信息
优势价格,MMST4126-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1:¥3.6838
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
2,000:¥1.2317
参考库存:36329
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暂无价格
参考库存:36334
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥1.5368
10:¥1.4577
100:¥0.92999
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.26103
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3,000:¥0.52997
9,000:¥0.46895
24,000:¥0.43844
参考库存:36344
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    50万现货SKU

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