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晶体管
BSC123N10LS G参考图片

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BSC123N10LS G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2
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库存:15,023(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.6786
12.6786
10
¥10.7576
107.576
100
¥8.6106
861.06
500
¥7.571
3785.5
1,000
¥6.2715
6271.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
71 A
Rds On-漏源导通电阻
10 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
68 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
114 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
49 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
41 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
BSC123N10LSGATMA1 BSC123N1LSGXT SP000379612
商品其它信息
优势价格,BSC123N10LS G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频(RF)双极晶体管 P-Band/Bipolar Radar Transistor
10:¥2,786.3766
参考库存:37083
晶体管
MOSFET N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH3
1:¥10.5316
10:¥8.9948
100:¥6.9495
500:¥6.1359
参考库存:13298
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
50:¥616.0986
100:¥602.7307
参考库存:37090
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 0.215 Ohm typ. 12.5A MDmeshM5
1:¥24.3628
10:¥20.7468
100:¥17.9783
250:¥17.063
3,000:¥12.2153
6,000:查看
参考库存:37095
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥136.165
250:¥124.9441
500:¥118.9438
参考库存:37100
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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