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晶体管
IPB80N03S4L03ATMA1参考图片

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IPB80N03S4L03ATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2
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库存:6,854(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.0627
11.0627
10
¥9.4468
94.468
100
¥7.2885
728.85
500
¥6.441
3220.5
1,000
¥5.085
5085
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
140 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
XPB80N03
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
62 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
IPB80N03S4L-03 IPB8N3S4L3XT SP000274982
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPB80N03S4L03ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET TRENCH_MOSFETS
1:¥6.3054
10:¥5.2658
100:¥3.4013
1,000:¥2.7233
2,000:¥2.7233
参考库存:20407
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8--600 MHz 150 W CW 50 V
1:¥297.6759
5:¥282.613
10:¥277.6975
25:¥251.7301
参考库存:4184
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS:
1:¥2.6103
10:¥1.7176
100:¥0.73789
1,000:¥0.56839
10,000:¥0.3842
20,000:查看
参考库存:48656
晶体管
MOSFET 250V 3.0A 117 OHM NCH ULTRAFE
1:¥12.9046
10:¥10.9836
100:¥8.8366
500:¥7.6049
1,000:¥6.3506
2,500:¥6.3506
参考库存:45153
晶体管
MOSFET N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS
1:¥6.9947
10:¥5.8421
100:¥3.7629
1,000:¥3.0171
5,000:¥3.0171
参考库存:90785
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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