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晶体管
CSD17556Q5BT参考图片

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CSD17556Q5BT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 30V N-Ch NexFET Pwr MOSFET
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库存:42,146(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥13.5261
3381.525
500
¥11.8311
5915.55
1,000
¥9.831
9831
2,500
¥9.1417
22854.25
5,000
¥8.8366
44183
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-Clip-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
1.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.15 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
39 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
191 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD17556Q5B
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
197 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
27 ns
典型接通延迟时间
14 ns
商品其它信息
优势价格,CSD17556Q5BT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN + NPN DIFF PAIR
1:¥71.4612
10:¥64.5456
50:¥61.5511
100:¥53.4829
参考库存:11562
晶体管
MOSFET 30V Asymtrc Dual NCh PowerTrench MOSFET
1:¥17.5941
10:¥14.9838
100:¥11.9893
500:¥10.4525
3,000:¥8.0682
6,000:查看
参考库存:13679
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥13.6052
10:¥11.30
100:¥8.7575
500:¥7.6727
1,000:¥6.8139
2,500:¥6.4975
参考库存:15346
晶体管
MOSFET 650V N-Channel SuperFET III MOSFET
1:¥91.0554
10:¥83.6765
25:¥80.2187
100:¥70.6928
参考库存:5413
晶体管
MOSFET PCH 1.8V DRIVE SERIE
1:¥3.616
10:¥2.5086
100:¥1.1526
1,000:¥0.88366
3,000:¥0.75258
参考库存:35660
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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