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晶体管
ZTX658STZ参考图片

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ZTX658STZ

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Super E-Line
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数量单价合计
2,000
¥3.0397
6079.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
集电极—基极电压 VCBO
400 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.5 V
最大直流电集电极电流
0.5 A
增益带宽产品fT
50 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZTX658
直流电流增益 hFE 最大值
50 at 1 mA, 5 V
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
封装
Reel
宽度
2.41 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
0.5 A
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,ZTX658STZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 45V 1MA
1:¥3.616
10:¥2.3052
100:¥0.99101
1,000:¥0.76049
3,000:¥0.5763
参考库存:37148
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥43.7988
10:¥39.1093
25:¥35.1882
50:¥33.6514
参考库存:37153
晶体管
IGBT 模块 STACKS IPM
1:¥38,286.8408
参考库存:37158
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms
1:¥18.984
10:¥16.1364
100:¥12.9046
500:¥11.30
参考库存:37163
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor
1:¥931.3799
2:¥913.0852
5:¥882.6656
10:¥870.5181
参考库存:37168
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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