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晶体管
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IHW20N65R5

  • Infineon Technologies
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  • IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
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数量单价合计
1
¥25.199
25.199
10
¥21.357
213.57
100
¥18.5207
1852.07
250
¥17.5941
4398.525
500
¥15.7522
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.35 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
150 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 RC-H
封装
Tube
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IHW20N65R5XKSA1 SP001133100
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IHW20N65R5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STD80N3LL
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET
5,000:¥1.9775
10,000:¥1.9097
25,000:¥1.8306
50,000:¥1.7967
参考库存:45539
DMT3006LDV-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
3,000:¥2.0566
参考库存:45544
2N3495
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 120Vcbo 120Vceo 4.5Vebo 100mA 0.6W
1:¥78.6028
10:¥77.7666
25:¥72.0036
100:¥66.1615
参考库存:7032
MRF151GC
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
15:¥929.764
25:¥899.028
50:¥726.5222
100:¥697.1648
参考库存:45551
TC8020K6-G M937
Microchip Technology
晶体管
MOSFET 6-Pair, N- and P-Ch Enhancement MOSFET
3,000:¥47.9459
参考库存:45556

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    50万现货SKU

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