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晶体管
STFH18N60M2参考图片

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STFH18N60M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.255 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide creepage package
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库存:10,486(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥17.3681
17.3681
10
¥14.7578
147.578
100
¥11.8311
1183.11
500
¥10.2943
5147.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
255 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
21.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
25 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STFH18N60M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
10.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
920
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
47 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格,STFH18N60M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1700V 1200A
1:¥6,948.9463
参考库存:1346
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
1:¥1.8419
10:¥1.2317
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
10,000:¥0.23843
20,000:查看
参考库存:225983
晶体管
IGBT 模块
1:¥2,916.6882
5:¥2,740.8828
参考库存:1345
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥3.3787
10:¥2.5764
100:¥1.921
500:¥1.5707
3,000:¥1.11418
6,000:查看
参考库存:58992
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
1:¥3.7629
10:¥2.4408
100:¥1.04525
1,000:¥0.80682
3,000:¥0.61472
参考库存:105614
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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