您好!欢迎来到隆乾胜芯城 登录 注册

产品分类

晶体管

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

BSM150GB170DLC

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:40,842(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,590.5089
1590.5089
5
¥1,552.2471
7761.2355
10
¥1,513.6689
15136.689
25
¥1,492.4588
37311.47
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1700 V
集电极—射极饱和电压
2.6 V
在25 C的连续集电极电流
300 A
栅极—射极漏泄电流
200 nA
Pd-功率耗散
1.25 kW
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM150GB170DLCHOSA1 SP000100710
商品其它信息
优势价格,BSM150GB170DLC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V COMP ENH MODE 20V VGS 3.7 IDS
1:¥7.1416
10:¥6.1585
100:¥4.7234
500:¥4.181
1,000:¥3.2996
3,000:¥3.2996
参考库存:19676
晶体管
MOSFET 30 Volt 7.1 Amp 2.0W
1:¥11.0627
10:¥9.0626
100:¥6.9947
2,500:¥6.9947
参考库存:22778
晶体管
MOSFET LDO POSITIVE REG 2.7V/1A
1:¥4.1471
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
3,000:¥1.4012
参考库存:49320
晶体管
MOSFET UniFET, 400V
1:¥21.2892
10:¥18.0574
100:¥14.4414
500:¥12.6786
1,000:¥10.5316
参考库存:7707
晶体管
MOSFET N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
1:¥10.4525
10:¥8.9157
100:¥6.8591
500:¥6.0681
参考库存:27704
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

深圳市隆乾胜科技有限公司

电话:0755-82331103

手机:13048971103

传真:0755-82331102

Email: 1531762882@qq.com

Q Q:

地址:深圳市福田区南园路66号佳兆业中心B座2F


微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市隆乾胜科技有限公司 粤ICP备2021106032号

24小时在线客服
热线电话
微信联系我们 微信扫码联系我们