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晶体管
SIHG35N60E-GE3参考图片

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SIHG35N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
  • 数据手册下载
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库存:6,234(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥51.5619
51.5619
10
¥42.7253
427.253
100
¥35.1882
3518.82
250
¥34.1147
8528.675
500
¥30.5778
15288.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
32 A
Rds On-漏源导通电阻
82 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
88 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
32 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
61 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
78 ns
典型接通延迟时间
29 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,SIHG35N60E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET LOW POWER_NEW
1:¥15.142
10:¥12.9046
100:¥10.2943
500:¥8.9948
1,000:¥7.4919
参考库存:4230
晶体管
MOSFET P-CH FET -30V 3.7 mOhm 45W
1:¥11.0627
10:¥8.8366
100:¥6.78
500:¥5.989
3,000:¥4.1923
9,000:查看
参考库存:39017
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W 45V
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
2,500:¥1.00683
参考库存:13364
晶体管
IGBT 模块 1200V 75A 3-PHASE
1:¥1,421.9242
5:¥1,387.7304
10:¥1,353.2315
25:¥1,334.2475
参考库存:3521
晶体管
IGBT 晶体管 LoLoss IGBT TrnchStp Fieldstop tech
1:¥42.3411
10:¥35.9566
100:¥31.1993
250:¥29.5834
500:¥26.5889
参考库存:4258
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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