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晶体管
IPD60R650CEAUMA1参考图片

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IPD60R650CEAUMA1

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库存:23,244(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.7574
6.7574
10
¥5.6613
56.613
100
¥3.6612
366.12
1,000
¥2.9267
2926.7
2,500
¥2.9267
7316.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
9.9 A
Rds On-漏源导通电阻
540 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
20.5 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
82 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
CoolMOS CE
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
11 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
58 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
IPD60R650CE SP001396884
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,IPD60R650CEAUMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 8A 100V Bipolar Power PNP
1:¥7.0738
10:¥5.989
100:¥4.5991
500:¥4.068
1,000:¥3.2092
参考库存:16807
晶体管
MOSFET NFETSO8FL60V17A39M OHM
1:¥7.6049
10:¥6.441
100:¥4.9381
500:¥4.3731
1,000:¥3.4465
参考库存:48209
晶体管
MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥7.9891
500:¥7.0512
1,000:¥5.8421
参考库存:19731
晶体管
MOSFET SO-8
1:¥11.6842
10:¥9.9892
100:¥7.684
500:¥6.8026
1,000:¥5.3675
2,500:¥5.1189
参考库存:19983
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V 200mW
1:¥2.7685
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.59212
参考库存:190205
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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