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晶体管
DSS3540M-7B参考图片

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DSS3540M-7B

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS Low Sat Transisto X1-DFN1006-3,10K
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数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.1809
21.809
100
¥1.00683
100.683
1,000
¥0.7684
768.4
10,000
¥0.5989
5989
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN1006-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
集电极—基极电压 VCBO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
- 350 mV
最大直流电集电极电流
- 1 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
DSS35
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
- 500 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
40 at - 500 mA, - 2 V
Pd-功率耗散
250 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,DSS3540M-7B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200W TO-3P PNP
1:¥27.0522
10:¥22.9729
100:¥19.8993
250:¥18.9049
参考库存:5599
晶体管
MOSFET 20V N-Ch Enh FET 0.61W 1788pF 21.5nC
1:¥3.842
10:¥2.938
100:¥1.5933
1,000:¥1.1978
3,000:¥1.02943
9,000:¥0.96841
参考库存:72581
晶体管
MOSFET UMOSVIII 250V 200m (VGS=10V) TSON-ADV
1:¥12.2153
10:¥9.831
100:¥7.5258
500:¥6.6444
5,000:¥4.6556
10,000:查看
参考库存:51343
晶体管
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
1:¥4.5313
10:¥3.7064
100:¥2.3956
1,000:¥1.921
2,500:¥1.921
参考库存:16810
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN GP 100MA 65V
1:¥0.99892
10:¥0.87575
100:¥0.30736
1,000:¥0.20792
3,000:¥0.16159
参考库存:2097547
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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