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晶体管
TPN2010FNH,L1Q参考图片

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TPN2010FNH,L1Q

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET UMOSVIII 250V 200m (VGS=10V) TSON-ADV
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库存:51,343(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.2153
12.2153
10
¥9.831
98.31
100
¥7.5258
752.58
500
¥6.6444
3322.2
5,000
¥4.6556
23278
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSON-Advance-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
9.9 A
Rds On-漏源导通电阻
168 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
39 W
配置
Triple
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.85 mm
长度
3.1 mm
系列
TPN2010FNH
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.1 mm
商标
Toshiba
下降时间
4.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.2 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
14 ns
商品其它信息
优势价格,TPN2010FNH,L1Q的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
1:¥13.9103
10:¥11.2209
100:¥8.9948
500:¥7.8422
2,000:¥6.0681
4,000:查看
参考库存:14191
晶体管
MOSFET PCH+PCH 4V DRIVE SERIES
1:¥4.8364
10:¥3.9776
100:¥2.5651
1,000:¥2.0566
3,000:¥2.0566
参考库存:4283
晶体管
MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES
1:¥3.0736
10:¥2.3165
100:¥1.2543
1,000:¥0.94468
3,000:¥0.81473
9,000:¥0.76049
参考库存:42880
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V Vceo 1A Ic MPT3
1:¥3.3787
10:¥2.5312
100:¥1.3786
1,000:¥1.02943
2,000:¥0.89157
参考库存:27747
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥745.8904
2:¥722.7593
5:¥722.522
10:¥699.244
参考库存:1179
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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