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晶体管
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ALD110900APAL

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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Linear Devices
产品种类
MOSFET
发货限制:
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PDIP-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
10 V
Id-连续漏极电流
12 mA
Rds On-漏源导通电阻
500 Ohms, 500 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
10 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10.6 V
最小工作温度
0 C
最大工作温度
+ 70 C
Pd-功率耗散
500 mW
配置
Dual
通道模式
Depletion
封装
Tube
产品
MOSFET Small Signal
系列
ALD110900A
晶体管类型
2 N-Channel
类型
MOSFET
商标
Advanced Linear Devices
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
1 g
商品其它信息
优势价格,ALD110900APAL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Composite Transistor w/ Built n Resistor
1:¥4.3844
10:¥2.9154
100:¥1.808
500:¥1.6159
3,000:¥1.01474
9,000:查看
参考库存:18671
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
4,000:¥0.30736
参考库存:31823
晶体管
MOSFET 400V N-Ch Q-FET advance C-Series
1:¥9.5259
10:¥8.1473
100:¥6.2715
500:¥5.5483
1,000:¥4.3844
参考库存:5155
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP General Purpose Amplification Transistor
1:¥2.3052
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
8,000:¥0.29154
24,000:查看
参考库存:81302
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Gen Pur SS
1:¥4.3053
10:¥3.6612
100:¥2.2939
1,000:¥1.7176
2,500:¥1.469
参考库存:35039
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