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晶体管
CSD17381F4T参考图片

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CSD17381F4T

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 30V,N-Ch FemtoFET MOSFET
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库存:22,622(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.6894
2.6894
10
¥2.0792
20.792
100
¥1.10627
110.627
250
¥1.10627
276.5675
1,000
¥0.82942
829.42
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PICOSTAR-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
3.1 A
Rds On-漏源导通电阻
109 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
850 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
1.04 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.35 mm
长度
1 mm
系列
CSD17381F4
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
0.64 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
1.8 S
下降时间
3.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.4 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10.8 ns
典型接通延迟时间
3.4 ns
单位重量
0.400 mg
商品其它信息
优势价格,CSD17381F4T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET N-Channel JFET 10mA
120:¥54.7146
500:¥49.8669
1,000:¥43.4146
参考库存:38098
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥5.6048
10:¥4.6669
100:¥3.0171
1,000:¥2.4182
参考库存:38103
晶体管
JFET Dual N-Ch JFET -60V 400mW 750mW -0.4Vgs
65:¥110.8078
100:¥101.9712
250:¥92.9764
500:¥86.9083
参考库存:38108
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 500MA
1:¥3.6838
10:¥2.8024
100:¥1.5142
1,000:¥1.1413
3,000:¥0.9831
参考库存:38113
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon AF TRANSISTOR ARRAY
1:¥2.9945
10:¥2.1357
100:¥0.9831
1,000:¥0.75258
3,000:¥0.64523
参考库存:38118
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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