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晶体管
GS66508B-E01-MR参考图片

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GS66508B-E01-MR

  • GaN Systems
  • 新批次
  • MOSFET 650V 30A E-Mode GaN
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库存：6,118(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥130.628
130.628
10
¥126.4018
1264.018
25
¥120.5597
3013.9925
250
¥111.8813
27970.325
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
GaN Systems
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
GaN
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
GaNPX-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
7 V
Qg-栅极电荷
5.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.51 mm
长度
8.8 mm
产品
MOSFET
系列
GS6650x
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
7 mm
商标
GaN Systems
下降时间
5.2 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
3.7 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
4.1 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
GS66508B-E01-MR
商品其它信息
优势价格，GS66508B-E01-MR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N3960
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
100:¥147.691
300:¥135.5435
500:¥128.933
参考库存:40898
STGWA80H65FB
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
1:¥63.0879
10:¥57.0198
25:¥54.3982
100:¥47.1775
参考库存:10438
RM15P30S8-T
Rectron
晶体管
MOSFET SOP-8 MOSFET
2,500:¥3.0623
5,000:¥2.8024
10,000:¥2.5538
25,000:¥2.5086
参考库存:40905
RN1309(TE85L,F)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50volts 3Pin 47K x 22Kohms
暂无价格
参考库存:40910
BSM35GB120DN2
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1200V 35A DUAL
10:¥489.3126
30:¥479.7076
100:¥444.5194
参考库存:40915

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    50万现货SKU

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