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晶体管
STGWA80H65FB参考图片

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STGWA80H65FB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
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库存:10,438(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥63.0879
63.0879
10
¥57.0198
570.198
25
¥54.3982
1359.955
100
¥47.1775
4717.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
120 A
Pd-功率耗散
469 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWA80H65FB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STGWA80H65FB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V
1:¥4.3844
10:¥3.6951
100:¥2.2487
1,000:¥1.7402
2,000:¥1.4803
参考库存:26663
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-11
10,000:¥0.20792
20,000:¥0.18419
50,000:¥0.16159
100,000:¥0.13786
参考库存:26668
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 501V~650V ITO-220AB TUBE 50PCS
1:¥25.5832
10:¥21.7412
100:¥18.8258
250:¥17.8992
500:¥16.0573
参考库存:26673
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP package
1:¥11.2209
10:¥9.5259
100:¥7.3563
500:¥6.4975
参考库存:26678
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥3.3787
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
参考库存:56275
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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