您好！欢迎来到隆乾胜芯城 登录 注册

产品分类

首 页 商品目录 品牌专区 BOM配单 品牌入驻 自营现货
晶体管
D3S190N65B-U参考图片

图片仅供参考， 请参阅产品规格

  • 分享到：
  • 0

D3S190N65B-U

  • D3
  • 新批次
  • MOSFET 190 mOhm 650V Superjunction Power MOSFET in TO-220
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式，3分钟内即可给您回复
  • 公司名：
  • *联系人：
  • *电话：
  • *邮箱：
   微信：      QQ：
库存：5,720(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.5998
18.5998
10
¥14.9838
149.838
100
¥11.9893
1198.93
500
¥10.5316
5265.8
询价数量：
加入询价单立即询价
相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
D3 Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
18.5 A
Rds On-漏源导通电阻
180 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
32.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
146 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
D3
下降时间
33 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
51 ns
典型接通延迟时间
21 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，D3S190N65B-U的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N3960
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
100:¥147.691
300:¥135.5435
500:¥128.933
参考库存:40898
STGWA80H65FB
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
1:¥63.0879
10:¥57.0198
25:¥54.3982
100:¥47.1775
参考库存:10438
RM15P30S8-T
Rectron
晶体管
MOSFET SOP-8 MOSFET
2,500:¥3.0623
5,000:¥2.8024
10,000:¥2.5538
25,000:¥2.5086
参考库存:40905
RN1309(TE85L,F)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50volts 3Pin 47K x 22Kohms
暂无价格
参考库存:40910
BSM35GB120DN2
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1200V 35A DUAL
10:¥489.3126
30:¥479.7076
100:¥444.5194
参考库存:40915

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

深圳市隆乾胜科技有限公司

电话：0755-82331103

手机：13048971103

传真：0755-82331102

Email: 1531762882@qq.com

Q Q:

地址：深圳市福田区南园路66号佳兆业中心B座2F


微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市隆乾胜科技有限公司 粤ICP备2021106032号

24小时在线客服
热线电话
微信联系我们 微信扫码联系我们