RN1309(TE85L,F)详细参数_参考价格_RN1309(TE85L,F) PDF资料_Toshiba

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	47 kOhms
典型电阻器比率	2.14
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SC-70
直流集电极/Base Gain hfe Min	70
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	100 mW
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN1309
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	70
高度	0.9 mm
长度	2 mm
宽度	1.25 mm
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	28 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MCH3474-TL-W	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET NCH 4V Power MOSFET	1:¥3.2996 10:¥2.7346 100:¥1.6724 1,000:¥1.2882 3,000:¥1.09836	参考库存:1160
IPN80R3K3P7ATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET LOW POWER_NEW	1:¥5.1528 10:¥4.3166 100:¥2.7798 1,000:¥2.2261 3,000:¥1.8871	参考库存:57372
BCY59-X	Central Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Trans 45Vcbo 45Vceo 7.0Vebo 340mW	1:¥15.368 10:¥13.673 100:¥10.9836 500:¥9.605	参考库存:11569
SQJ488EP-T1_GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified	1:¥12.2944 10:¥10.2152 100:¥7.91 500:¥6.9382 1,000:¥5.7517 3,000:¥5.7517	参考库存:217466
DMP34M4SPS-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V	1:¥8.1473 10:¥6.9721 100:¥5.3562 500:¥4.7347 1,000:¥3.7403	参考库存:16378