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晶体管
DMN66D0LW-7参考图片

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DMN66D0LW-7

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库存:21,642(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9945
2.9945
10
¥2.4973
24.973
100
¥1.5255
152.55
1,000
¥1.1865
1186.5
3,000
¥1.00683
3020.49
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
115 mA
Rds On-漏源导通电阻
6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
200 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
2.15 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
DMN66
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Diodes Incorporated
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
5 mg
商品其它信息
优势价格,DMN66D0LW-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 250mW 10KOhm
1:¥3.1527
10:¥2.3843
100:¥1.2882
1,000:¥0.96841
3,000:¥0.83733
参考库存:8562
晶体管
MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp
1:¥13.0628
10:¥10.9158
100:¥8.4524
500:¥7.3563
800:¥6.102
参考库存:5824
晶体管
MOSFET N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3
1:¥12.1362
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥7.0399
1,000:¥5.5596
参考库存:7651
晶体管
MOSFET 60V 0.3A N-CHANNEL TRENCH MOSFET
1:¥2.0792
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.40002
3,000:¥0.30736
参考库存:1218633
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 651V-800V
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.1303
500:¥6.3054
1,000:¥4.972
参考库存:4445
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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