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晶体管
CSD25304W1015参考图片

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CSD25304W1015

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 20V P-channel NexFET Pwr MOSFET
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库存：31,882(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.068
4.068
10
¥3.3787
33.787
100
¥2.0679
206.79
1,000
¥1.5933
1593.3
3,000
¥1.356
4068
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DSBGA-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
3 A
Rds On-漏源导通电阻
92 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.15 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
4.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
750 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.625 mm
长度
1.5 mm
系列
CSD25304W1015
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
12 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
6 ns
单位重量
1.400 mg
商品其它信息
优势价格，CSD25304W1015的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CSD25484F4
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 8mil version of CSD25481F4
1:¥2.8476
10:¥2.147
100:¥1.1865
1,000:¥0.89157
3,000:¥0.7684
参考库存:407225
QPD1003
Qorvo
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1.2-1.4GHz 500W 50V SSG 20dB GaN
1:¥4,702.608
参考库存:2012
FF600R12KE4BOSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 LOW POWER EASY
1:¥1,440.75
5:¥1,406.0929
10:¥1,371.2098
25:¥1,352.0789
参考库存:2049
NTHL065N65S3F
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET SUPERFET3 650V TO247
1:¥47.3357
10:¥40.2619
100:¥34.8831
250:¥33.0412
参考库存:4466
F3L100R12W2H3_B11
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥453.356
5:¥443.1408
10:¥425.8518
25:¥412.1675
参考库存:2083

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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