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晶体管
2SAR523MT2L参考图片

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2SAR523MT2L

  • ROHM Semiconductor
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP General Purpose Amplification Transistor
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数量单价合计
1
¥2.3052
2.3052
10
¥1.5255
15.255
100
¥0.63732
63.732
1,000
¥0.43844
438.44
8,000
¥0.29154
2332.32
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VMT-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 50 V
集电极—基极电压 VCBO
- 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 150 mV
最大直流电集电极电流
- 100 mA
增益带宽产品fT
300 MHz
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SAR523M
直流电流增益 hFE 最大值
560
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ROHM Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
150 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
8000
子类别
Transistors
零件号别名
2SAR523M
商品其它信息
优势价格,2SAR523MT2L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥548.5585
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参考库存:51975
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5,000:¥1.8984
参考库存:51980
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    50万现货SKU

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    保证原装正品

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