DTB543XMT2L详细参数_参考价格_DTB543XMT2L PDF资料_ROHM Semiconductor

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	4.7 kOhms
典型电阻器比率	2.1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	VMT-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	140
最大工作频率	260 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO	-
集电极连续电流	- 500 mA
峰值直流集电极电流	- 500 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最小工作温度	-
最大工作温度	+ 150 C
系列	DTB543XM
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
发射极 - 基极电压 VEBO	-
输出电压	- 70 mV
商标	ROHM Semiconductor
最大直流电集电极电流	- 500 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors
零件号别名	DTB543XM

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SMP6452	InterFET	晶体管	PDF数据手册	JFET JFET N-Channel -25V 3.5Vgs 10Vds 20mA	111:¥59.0877 500:¥53.8671 1,000:¥46.8724	参考库存:33415
SPP04N50C3XKSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 560V 4.5A TO220-3	1:¥11.526 10:¥9.831 100:¥7.5936 500:¥6.7122	参考库存:33420
NVMFD5853NLWFT1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Pwr MOSFET 40V 34A 10mOhm Dual N-CH	1:¥12.2153 10:¥10.3734 100:¥8.2942 500:¥7.2659 1,500:¥5.6048 4,500:查看	参考库存:33425
2N5384	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT	1:¥1,147.8314 2:¥1,125.3218 5:¥1,087.7493 10:¥1,068.2342	参考库存:33430
BSM25GD120DN2	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 1200V 25A FL BRIDGE	1:¥729.3698 5:¥715.9906 10:¥683.7178 25:¥660.9822	参考库存:33435