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VS-GB200NH120N

  • Vishay Semiconductors
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  • IGBT 模块 Output & SW Modules - DIAP IGBT
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 模块
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.8 V
在25 C的连续集电极电流
420 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1.562 kW
封装 / 箱体
INT-A-PAK
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
商标
Vishay Semiconductors
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
12
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格，VS-GB200NH120N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N3867
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
500:¥55.935
1,000:¥53.8671
参考库存:39801
FCPF360N65S3R0L
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.8422
500:¥6.8817
参考库存:39806
ZXMP7A17GQTC
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT223 T&R 4K
4,000:¥2.8815
参考库存:39811
NTJS3151PT2G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET 12V 3.3A P-Channel
6,000:¥0.71416
9,000:¥0.66896
参考库存:39816
NTMFS4C06NBT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 69A 4MOHM
3,000:¥1.9097
参考库存:39821

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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