图片 | 型号 | 制造商 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频放大器 A2G35S160-01S/CFM2F///REEL 13 Q1 NDP
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暂无价格
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参考库存:23551
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射频放大器 A2G35S200-01S/CFM2F///REEL 13 Q1 NDP
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暂无价格
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参考库存:22967
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFG24S100H/CFM2F///REEL 13 Q2 NDP
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50:¥2,575.1344
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参考库存:38861
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射频收发器 OL2385AHN/HVQFN48//00100/REEL 13 Q1 DP
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4,000:¥16.1364
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参考库存:38856
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射频放大器 SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC with bypass switch for LTE
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20,000:¥1.582 40,000:¥1.5594
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参考库存:38631
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8-800 28V NI1230H
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150:¥1,073.6808
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参考库存:38259
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 50 W Avg., 48 V
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250:¥892.8808
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参考库存:37749
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射频收发器 OL2385AHN/HVQFN48//001A1/REEL 13 Q1 DP
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4,000:¥16.1364
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参考库存:36551
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H450W19S/CFM8F///REEL 13 Q2 NDP
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150:¥1,466.2654
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参考库存:36474
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT2001N/FM14F///REEL 13 Q2 DP
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500:¥456.2036
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参考库存:36464
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1,000:¥80.7611
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参考库存:36444
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射频无线杂项 MMDS09254H/HVQFN32///REEL 13 Q2 DP
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1,000:¥78.6028
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参考库存:36380
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射频放大器 HV7 2700MHZ4W TO270WB16G
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500:¥354.7748
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参考库存:35744
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260:¥47.1775 520:¥42.8722 1,040:¥38.5782 2,080:¥37.7307
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参考库存:35504
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射频收发器 OL2385 sub-GHz SiGFOX LPWAN
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4,000:¥16.1364
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参考库存:35288
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射频微控制器 - MCU 128KB Flash 48 MHz Sub-1GHz
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2,000:¥22.826 4,000:¥21.9785
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参考库存:34879
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射频放大器 SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC with bypass switch for LTE
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20,000:¥1.582 40,000:¥1.5594
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参考库存:34309
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 150W
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500:¥364.0634
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参考库存:34027
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2500-2700 MHz 4 W Avg. 28 V
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500:¥312.8179
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参考库存:33488
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1308HS/CFM4F///REEL 13
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50:¥1,301.6696
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参考库存:33124
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