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无线和射频半导体
MRF6V2150NBR1参考图片

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MRF6V2150NBR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 150W
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数量单价合计
500
¥364.0634
182031.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
110 V
增益
25 dB
输出功率
150 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-272-4
封装
Reel
配置
Single Dual Drain Dual Gate
高度
2.64 mm
长度
23.67 mm
工作频率
220 MHz
系列
MRF6V2150N
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.07 mm
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 0.5 V, 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.62 V
零件号别名
935316841528
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格，MRF6V2150NBR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC342
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频放大器 lo Noise amp Chip, 13 - 25 GHz
25:¥347.5428
100:¥325.1123
250:¥313.9705
参考库存:5101
ADF4360-4BCPZ
Analog Devices
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Intg Integer-N VCO Out Freq 1450-1750
1:¥53.0987
10:¥47.799
25:¥44.9514
50:¥42.262
参考库存:7073
SKY67151-396LF
Skyworks Solutions, Inc.
无线和射频半导体
射频放大器 700-3800MHz NF .6dB OP1dB 20dBm @2.5GHz
1:¥48.4883
10:¥43.3355
25:¥38.9624
100:¥35.5046
3,000:¥24.2837
参考库存:13205
F1162NBGI
IDT
无线和射频半导体
上下转换器 RF MIXER 0.35 UM SIGE BICMOS
1:¥91.6656
5:¥87.1343
10:¥82.5239
25:¥75.145
参考库存:7307
PAT1220-C-8DB-T5
Susumu
无线和射频半导体
衰减器 8dB 50ohm
1:¥2.7685
10:¥2.3843
25:¥2.147
100:¥1.8645
5,000:¥1.02152
参考库存:28114

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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