图片 | 型号 | 制造商 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 | 询价 |
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射频放大器 MMZ25332B4/HVQFN24///REEL 7 Q2 NDP
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1,000:¥37.3465 2,000:¥33.9678
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参考库存:30112
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射频放大器 A2I09VD030N/FM15F///REEL 13 Q2 DP
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1:¥183.4216 5:¥173.5793 10:¥171.0481 25:¥158.6746 500:¥125.6334
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参考库存:29985
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 250W 50V NI780HS
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1:¥1,926.6839 5:¥1,883.7326 10:¥1,845.1544 25:¥1,817.9553 50:¥1,751.952
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参考库存:29975
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHz 58W OM780-2
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250:¥631.1615
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参考库存:29950
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
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500:¥1,609.9562
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参考库存:29793
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
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250:¥1,688.2539
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参考库存:29743
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 50V 4.5W TO272WB4
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500:¥451.2768
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参考库存:29718
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV141KH/CFM4F///REEL 13
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50:¥3,771.8496
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参考库存:29683
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHZ 40W TO270WB4G
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1:¥191.4898 5:¥183.0374 10:¥176.6529 25:¥154.1433 500:¥132.9332
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参考库存:29569
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP6300-88
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1:¥7,538.23 5:¥7,457.2429 10:¥7,377.1033
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参考库存:29529
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP5600-434
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1:¥7,538.23 5:¥7,457.2429 10:¥7,377.1033
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参考库存:29524
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500:¥513.7545
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参考库存:29514
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.1GHZ 230W NI780S-6
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1:¥877.9761 5:¥860.9131 10:¥832.4823 25:¥797.2941 50:¥786.2992
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参考库存:29499
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射频微控制器 - MCU MKW21D256VHA5/HVQFN63R///REEL 13 Q1 DP
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1:¥58.3984 10:¥52.7145 25:¥47.3357 100:¥43.6406 2,000:¥31.8886
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参考库存:29452
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230GS
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1:¥1,350.0788 5:¥1,319.953 10:¥1,292.9121 25:¥1,273.849 50:¥1,227.5981
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参考库存:29427
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射频放大器 HV7IC 2100MHZ TO270WB14G
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500:¥507.37
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参考库存:29372
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射频放大器 HV8IC 960MHZ TO270WB14G
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1:¥381.1264 5:¥360.5378 10:¥355.385 25:¥329.6436 500:¥260.9509
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参考库存:29260
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF8VP13350N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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250:¥1,019.9719
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参考库存:29230
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780S-4
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250:¥700.0124
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参考库存:29095
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21S260W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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1:¥624.325 5:¥612.1888 10:¥591.9731 25:¥566.921 250:¥508.3757
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参考库存:28498
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