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SIHF15N60E-GE3参考图片

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SIHF15N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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数量单价合计
1
¥26.2838
26.2838
10
¥24.6679
246.679
100
¥19.21
1921
250
¥18.2156
4553.9
500
¥15.5262
7763.1
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
280 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
39 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
34 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
41 ns
典型接通延迟时间
16 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，SIHF15N60E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FR20G02
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
整流器 400V 20A Fast Recovery
300:¥61.472
500:¥57.5509
1,000:¥52.7936
参考库存:56226
D2F60-5073
Shindengen
分立半导体
整流器 General Rectifying Diode - SMD
3,000:¥4.6669
24,000:¥3.7855
参考库存:56231
CMPZ5228B BK
Central Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 350mW Zener Diode 3.705V to 4.095V
14,000:¥0.52997
28,000:¥0.49946
56,000:¥0.44522
112,000:¥0.43053
参考库存:56236
SS1H6LS RVG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1A, 60V, SCHOTTKY
12,000:¥0.63054
24,000:¥0.60681
参考库存:56241
FST16040
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 40V 160A Schottky Recovery
40:¥463.8876
80:¥454.2826
120:¥438.8355
参考库存:56246

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    50万现货SKU

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