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分立半导体
PMZ370UNEYL参考图片

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PMZ370UNEYL

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET 30V N-channel Trench MOSFET
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库存:48,299(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥1.8645
18.645
100
¥0.79891
79.891
1,000
¥0.61472
614.72
10,000
¥0.41471
4147.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-1006-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
900 mA
Rds On-漏源导通电阻
370 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
770 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
770 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
360 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.5 mm
长度
1.02 mm
产品
MOSFET
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Trench MOSFET
宽度
0.62 mm
商标
Nexperia
正向跨导 - 最小值
1580 mS
下降时间
27 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
54 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
0.800 mg
商品其它信息
优势价格,PMZ370UNEYL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
SCR Dual P Gate Forward Conducting
1:¥10.5994
10:¥8.5315
100:¥6.5427
500:¥5.7856
2,500:¥4.0454
10,000:查看
参考库存:42734
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥5.0737
10:¥4.1697
100:¥2.6894
1,000:¥2.147
2,500:¥2.147
参考库存:19644
分立半导体
JFET N-Ch JFET -35V -3Vds 50mA 360mW 3.27mW
1:¥25.4363
10:¥20.4417
100:¥16.8257
500:¥15.142
参考库存:6481
分立半导体
MOSFET N-Ch 600V 30A TO247-3 CoolMOS C6
1:¥39.0302
10:¥33.1203
100:¥28.7359
250:¥27.2782
参考库存:5543
分立半导体
分立半导体模块 40A 600VAC MODULE SCR/DIODE
1:¥619.4095
10:¥614.8782
25:¥600.7306
50:¥586.5943
100:¥569.5426
参考库存:42745
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

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