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分立半导体
APT100GN60LDQ4G参考图片

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APT100GN60LDQ4G

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
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数量单价合计
1
¥113.8023
113.8023
10
¥103.4289
1034.289
25
¥95.6658
2391.645
50
¥90.4452
4522.26
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-264-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
229 A
Pd-功率耗散
625 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
229 A
高度
5.21 mm
长度
26.49 mm
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
宽度
20.5 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
229 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
10.600 g
商品其它信息
优势价格,APT100GN60LDQ4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 2.4 Volt 0.225W 5%
1:¥2.0792
10:¥1.4012
100:¥0.68365
500:¥0.58421
10,000:¥0.26103
20,000:查看
参考库存:35628
分立半导体
稳压二极管 6.2 Volt 0.225W 5%
1:¥2.0792
10:¥1.4012
100:¥0.68365
500:¥0.58421
3,000:¥0.35369
6,000:查看
参考库存:35633
分立半导体
稳压二极管 3.9 Volt 0.35W 5%
1:¥2.0792
10:¥1.4012
100:¥0.68365
500:¥0.58421
10,000:¥0.26103
20,000:查看
参考库存:35638
分立半导体
稳压二极管 36 Volt 0.2W 2% AUTO
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.73789
500:¥0.63054
10,000:¥0.27685
20,000:查看
参考库存:35643
分立半导体
稳压二极管 2.7 Volt 0.5W 5%
1:¥1.7628
10:¥1.2091
100:¥0.5989
500:¥0.50737
10,000:¥0.22261
20,000:查看
参考库存:35648
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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