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分立半导体
APT45GP120J参考图片

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APT45GP120J

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
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数量单价合计
1
¥286.455
286.455
2
¥278.6241
557.2482
5
¥270.9401
1354.7005
10
¥263.177
2631.77
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
SOT-227-4
安装风格
Chassis Mount
配置
N-Channel
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.3 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
34 A
Pd-功率耗散
329 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
75 A
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
25.4 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
75 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
POWER MOS 7 IGBT, ISOTOP
单位重量
30 g
商品其它信息
优势价格，APT45GP120J的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N4969
Semtech
分立半导体
稳压二极管 Z MET 30V
1:¥74.6139
10:¥67.8452
25:¥62.7828
50:¥59.325
参考库存:43117
DTA144TM3T5G
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
1:¥2.3052
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
8,000:¥0.29154
24,000:查看
参考库存:43122
PEMH11,315
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 50V 200mW NPN/PNP resistor-equip trans
1:¥3.0736
10:¥2.0566
100:¥0.86106
1,000:¥0.58421
8,000:¥0.39211
24,000:查看
参考库存:43127
ZEN056V260A16YC
Littelfuse
分立半导体
稳压二极管 ZEN056V260A16YC
1:¥14.6787
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2942
4,000:¥5.989
8,000:查看
参考库存:43132
AR1PDHM3/85A
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 1A 200V Avalanche RecoverySMPRectifier
10,000:¥1.2091
20,000:¥1.1413
参考库存:43137

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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