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分立半导体
STI300N4F6参考图片

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STI300N4F6

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40 V 1.4 mOhm 160A I2PAK STripFET
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库存:7,072(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥38.194
38.194
10
¥32.4988
324.988
100
¥28.1257
2812.57
250
¥26.668
6667
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
160 A
Rds On-漏源导通电阻
1.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
240 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
封装
Tube
系列
STI300N4F6
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
95 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
98 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
190 ns
典型接通延迟时间
28 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格,STI300N4F6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 75V 200mW
1:¥1.5368
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23052
参考库存:29347
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN TRANS TO-126
1:¥4.8364
10:¥3.955
100:¥2.4182
1,000:¥1.8645
参考库存:3859
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 150MW 4.7K 10K
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:48636
分立半导体
桥式整流器 GBU GPP 25A 1000V Rect. Bridge Diode
1:¥10.2152
10:¥8.2264
100:¥6.2828
500:¥5.5596
参考库存:2343
分立半导体
稳压二极管 500mW 9.7V Zener
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:21550
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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