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射频晶体管
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A2V09H300-04NR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2V09H300-04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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250
¥718.9173
179729.325
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
900 mA, 1.3 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 105 V
增益
19.7 dB
输出功率
79 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-780-4L-4
封装
Reel
工作频率
720 MHz to 960 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
零件号别名
935320809528
单位重量
3.097 g
商品其它信息
优势价格，A2V09H300-04NR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMRF1011HR5
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1011H/CFM2F///REEL 13
50:¥3,427.4482
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2:¥1,427.2239
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10:¥1,381.1199
25:¥1,331.3321
参考库存:38179
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V
50:¥3,278.2995
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LED 照明开发工具 TLC6C5716EVM
1:¥1,392.1826
参考库存:4844

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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