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射频晶体管
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MRF173

  • MACOM
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 80Watts 28Volt Gain 13dB
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
9 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
13 dB
输出功率
80 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
221-11-3
封装
Tray
配置
Single
工作频率
200 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
MACOM
Pd-功率耗散
220 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
20
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
商品其它信息
优势价格，MRF173的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMRF1023HSR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1023HS/CFM6F///REEL 13
1:¥1,382.7358
5:¥1,351.8416
10:¥1,324.1792
25:¥1,304.6641
50:¥1,257.2606
参考库存:37530
RFCM3327PCBA-410
Qorvo
射频晶体管
射频开发工具 Fully Assembled Evaluation Board
暂无价格
参考库存:37535
TAN150
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
1:¥1,628.0136
2:¥1,588.8252
5:¥1,565.615
10:¥1,543.4105
参考库存:37540
TGF2819-FL
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz
暂无价格
参考库存:37545
NPTB00004A
MACOM
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 5W Gain 16dB GaN HEMT
1:¥118.0285
10:¥107.1127
25:¥99.2818
50:¥93.5866
参考库存:6250

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

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