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射频晶体管
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TGF2819-FL

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
14 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 2.9 V
Id-连续漏极电流
7.32 A
输出功率
100 W
最大漏极/栅极电压
145 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
86 W
安装风格
Screw Mount
封装
Tray
配置
Single
工作频率
3.5 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
类型
GaN SiC HEMT
商标
Qorvo
开发套件
TGF2819-FS/FL, EVAL BOARD
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
零件号别名
1118709 772-TGF2819-FS-EVB1
商品其它信息
优势价格，TGF2819-FL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
D2205UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 7.5W-12.5V-1GHz SE
50:¥431.8408
100:¥419.9306
参考库存:40017
A3T18H400W23SR6
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T18H400W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥1,065.9968
5:¥1,045.024
10:¥996.3097
25:¥975.4047
100:¥926.6113
150:¥861.9866
参考库存:40022
A2T09VD250NR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T09VD250N/FM6F///REEL 13 Q2 DP
500:¥709.1541
参考库存:40027
QPD1025
Qorvo
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1-1.1GHz 1800 Watt Gain 22.5dB 65V GaN
1:¥6,170.252
参考库存:40032
MMBF4416
ON Semiconductor / Fairchild
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor
1:¥3.616
10:¥2.2939
100:¥0.9831
1,000:¥0.75258
3,000:¥0.5763
参考库存:36887

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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    明码标价节省时间成本

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