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射频晶体管
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D1028UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 300W-28V-175MHz PP
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¥1,820.4187
1820.4187
10
¥1,600.7354
16007.354
25
¥1,454.2761
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50
¥1,276.3915
63819.575
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
30 A
Vds-漏源极击穿电压
70 V
增益
13 dB
输出功率
300 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DR
配置
Dual
工作频率
175 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
438 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格，D1028UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AFT09MP055NR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 55W 12.5V TO270WB4
1:¥145.3858
10:¥133.6225
25:¥127.7126
100:¥112.8757
500:¥97.5077
参考库存:38376
TSL2541-EVM
ams
射频晶体管
光学传感器开发工具 Eval module for TSL2541
1:¥1,680.875
参考库存:5041
D1012UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 100W-28V-500MHz PP
72:¥1,290.912
参考库存:38383
TGF2942
Qorvo
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-25GHz 2Watt NF 1.2dB GaN
50:¥121.7123
100:¥107.576
250:¥100.0502
500:¥93.0555
参考库存:5498
LET9045C
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LdmoST 45W 18.5dB 960MHz
1:¥639.3088
5:¥627.5568
10:¥599.2729
25:¥579.2945
参考库存:38390

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