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射频晶体管
TGF2978-SM参考图片

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TGF2978-SM

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
11 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
32 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 2.7 V
Id-连续漏极电流
1.3 A
输出功率
19 W
最大工作温度
+ 225 C
Pd-功率耗散
33 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-20
封装
Tray
配置
Single
高度
0.203 mm
长度
4 mm
工作频率
DC to 12 GHz
类型
GaN SiC HEMT
宽度
3 mm
商标
Qorvo
通道数量
1 Channel
开发套件
TGF2978-SMEVB1
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
零件号别名
1127373
单位重量
123 mg
商品其它信息
优势价格，TGF2978-SM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PTFB212503FL-V2-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥823.8039
参考库存:38870
BYI-1F
Microchip / Microsemi
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射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
75:¥772.5471
100:¥748.0374
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ASMA101
Advanced Semiconductor, Inc.
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射频(RF)双极晶体管 50 Ohm
1:¥391.884
10:¥359.6112
25:¥322.728
50:¥285.8448
100:¥238.8933
参考库存:38880
MRFE8VP8600HR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE8VP8600H/CFM4F///REEL 13
1:¥1,205.7778
5:¥1,182.3416
10:¥1,143.3001
25:¥1,094.8909
50:¥1,079.9071
参考库存:38885
D1027UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 150W-28V-175MHz PP
50:¥1,279.612
参考库存:38890

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    50万现货SKU

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