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射频晶体管

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MRFE8VP8600HR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE8VP8600H/CFM4F///REEL 13
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1
¥1,205.7778
1205.7778
5
¥1,182.3416
5911.708
10
¥1,143.3001
11433.001
25
¥1,094.8909
27372.2725
50
¥1,079.9071
53995.355
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.8 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 115 V
增益
21 dB
输出功率
140 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230H-4
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
470 MHz to 860 MHz
系列
MRFE8VP8600H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
1.25 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
零件号别名
935318365178
单位重量
13.164 g
商品其它信息
优势价格,MRFE8VP8600HR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
10,000:¥0.89157
20,000:¥0.82264
50,000:¥0.791
100,000:¥0.76049
参考库存:39794
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥34.578
10:¥28.815
25:¥25.8996
50:¥23.052
参考库存:39799
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 2.5W-12.5V-1GHz SE
50:¥370.753
100:¥360.5378
250:¥355.385
参考库存:39804
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥530.196
10:¥441.83
25:¥397.647
50:¥353.464
参考库存:7519
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥1,877.8114
10:¥1,723.137
25:¥1,546.405
50:¥1,369.673
参考库存:39811
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    50万现货SKU

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