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射频晶体管
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AFV141KGSR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV141KGS/CFM4///REEL 13
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50
¥3,786.4492
189322.46
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.6 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 105 V
增益
17.7 dB
输出功率
1 kW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230GS-4L-4
封装
Reel
工作频率
1.2 GHz to 1.4 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
910 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
零件号别名
935318921178
单位重量
8.518 g
商品其它信息
优势价格，AFV141KGSR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TPV8100B
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥1,551.2414
10:¥1,423.461
25:¥1,277.465
50:¥1,131.469
参考库存:5836
MRF8S9120NR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHZ 120W OM780-2
1:¥410.5516
5:¥398.6414
10:¥390.1212
25:¥373.6684
250:¥331.3386
参考库存:6388
MRF136
MACOM
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 15Watts 28Volt Gain 16dB
1:¥188.032
10:¥184.3369
参考库存:6965
BFT25,215
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 TAPE7 TNS-RFSS
1:¥4.4522
10:¥3.6838
100:¥2.2487
1,000:¥1.7402
3,000:¥1.4803
参考库存:21212
SS9018HBU
ON Semiconductor / Fairchild
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN/30V/50mA
1:¥1.8419
10:¥1.2317
100:¥0.51528
1,000:¥0.35369
参考库存:213829

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    50万现货SKU

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