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射频晶体管
A3T21H455W23SR6参考图片

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A3T21H455W23SR6

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T21H455W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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数量单价合计
150
¥893.6492
134047.38
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3.6 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
15 dB
输出功率
87 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ACP-1230S-4L2S
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2200 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
零件号别名
935368316128
商品其它信息
优势价格，A3T21H455W23SR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF313
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥345.78
10:¥288.15
25:¥259.335
50:¥230.52
参考库存:5182
PD57070S-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
400:¥394.3474
参考库存:38524
A2T26H160-24SR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T26H160-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥1,028.5825
参考库存:38529
MRF426
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 1.5-30MHz 25Watts 28Volt Gain 22dB
1:¥270.3186
5:¥265.0189
10:¥263.5612
25:¥243.2777
参考库存:6014
D2225UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-12.5V-1GHz PP
100:¥207.5471
250:¥204.0102
参考库存:38536

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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