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射频晶体管
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MRF150MP

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Matched pair Transistors
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数量单价合计
1
¥962.2628
962.2628
2
¥935.6852
1871.3704
5
¥914.2378
4571.189
10
¥887.502
8875.02
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
16 A
Vds-漏源极击穿电压
125 V
增益
17 dB
输出功率
150 W
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
221-11-3
高度
6.58 mm
长度
26.04 mm
类型
RF Power MOSFET
宽度
24.77 mm
商标
MACOM
正向跨导 - 最小值
4 mhos
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
300 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
商品其它信息
优势价格，MRF150MP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PTFB092707FH-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
1:¥848.0085
50:¥848.0085
参考库存:5101
0405SC-1500M
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
5:¥13,766.4962
参考库存:38318
MRF6S20010GNR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 2GHZ 10W
1:¥297.4499
5:¥282.387
10:¥277.5506
25:¥251.5719
500:¥214.6096
参考库存:5843
VRF157FLMP
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
10:¥3,869.3573
参考库存:38325
AGR18090EF
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-1.88GHz 90Watt Gain 14dB
1:¥751.111
5:¥689.2548
10:¥618.562
25:¥547.8692
参考库存:38330

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