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射频晶体管
PTVA123501EC-V2-R250参考图片

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PTVA123501EC-V2-R250

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
250
¥3,941.1236
985280.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
150 mA
Vds-漏源极击穿电压
105 V
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms
增益
17 dB
输出功率
350 W
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
H-36248-2
封装
Reel
工作频率
1200 MHz to 1400 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
3.35 V
商品其它信息
优势价格，PTVA123501EC-V2-R250的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFS 483 H6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.9155
10:¥4.1132
100:¥2.6555
1,000:¥2.1244
3,000:¥2.1244
参考库存:12682
TAN500
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
25:¥3,652.6685
参考库存:34634
MRF6VP11KHR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 130MHZ 1000W NI1230
1:¥2,059.0069
5:¥2,013.1289
10:¥1,971.9404
25:¥1,942.8203
50:¥1,872.2857
参考库存:1574
1014-6A
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor
1:¥1,525.5791
2:¥1,488.8541
5:¥1,473.0228
10:¥1,451.8918
参考库存:34641
A2T21H360-23NR6
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H360-23N/FM6F///REEL 13 Q2 DP
150:¥853.15
参考库存:34646

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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